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整体而言,本轮涨价幅度略高于预期。早在9月下旬,三星电子便已发出第四季度提价通知,当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下,根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测,第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%,比上一季度上涨10%以上,涨价热潮或进一步加剧。 需要承认,存储芯片行业正加速迈入“超级周期”几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断,第四季度仅仅是存储严重缺货的起点,明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。 对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为。另据《朝鲜日报》报道,由于担心DRAM短缺,几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存,并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议,与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。 |

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